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 TSUPREM4半导体工艺模拟软件
◆   Tsuprem4功能

     TSUPREM4的前身为SUPREM,由美国斯坦福大学开的。迄今已经先后经历了四代。第一代名为SUPREM-I,发表于1977年,仅在试验室条件下进行了试用。1980年推出了第二代版本SUPREM-II,进行了世界范围内的技术转让,有了一定的产业化应用。1983年又对原版本做了较大修改推出了第三代版本SUPREM-III。这三个版本是针对硅加工过程的一维工艺模拟软件几乎可以处理硅集成电路的全部制作工序。美国TMA公司集相关技术成果在前三个版本的一维模拟基础之,上历经近10 年的时间,于1997 年推出了对集成电路平面制造工艺进行二维模拟的第四代版本TSUPREM-IV(最初由美国TMA公司组织开发)。而后美国TMA公司又并入AVANTI公司目前最新升级版本是AVANTI公司的TSUPREM-IV版本。
      在TSUPREM系统的四个版本中,前三个都是针对硅芯片加工工艺过程的一维工艺模拟系统。SUPREM-I 和SUPREM-II仅能处理硅和二氧化硅介质层,模拟两层结构中的杂质分布;SUPREM-III与前两者相比,除了硅和二氧化硅介质层外又增加了多晶硅介质层,并可模拟多层结构中的杂质分布。在功能上SUPREM-II较SUPREM-I增强了图形输出功能,SUPREM-III比SUPREM-I、SUPREM-II 模型更加完善。由SUPREM-I至SUPREM-III模型的完善主要体现在离子注入、氧化及多晶硅模型上的改进上。
      SUPREM4系统发展的过程直接浓缩了现代集成电路制造工艺模拟与仿真技术的发展历程和趋势;模拟的维数由一维二层结构、一维多层结构至二维多层结构;可模拟的效应由一级效应二级效应扩展到二维状态下的诸多效应,相应的数学物理模型逐步扩展,模型精度明显提高;数值算法更趋完善从而使模拟的结果更为精确。

 TSUPREM4特性及提供的设计实例

Tsuprem4特性
可与MEDICI结合进行工艺器件二维联合仿真;
包含丰富的工艺模型;
采用了先进的数值计算技术;
提供了可视化平台。


Tsuprem4 设计实例(按客户需要提供任意需要的器件仿真实例):

提供例子

简单描述

Tsuprem4自带例子

自带多个学习例子,均可完整运行

LDMOS实例

实际生产工艺通过Tsuprem4生成CMOS、LDMOS器件结构仿真

VDMOS实例

实际生产工艺通过Tsuprem4生成VDMOS结构

Medici仿真:阈值电压Vth,反向耐压BV,正向IV,导通电阻Rson,瞬态特性仿真

Tsuprem4工艺模拟图

工艺模拟

 

 

TOMEDA提供的Medici、Tsuprem4软件学习资料清单:

Medici 和Ts4 Linux
TSUPREM4 PDFManual
TSUPREM 实例
入门教程
Linux虚拟机系统4.5GB
PDF文档7.4MB
仿真例子1MB
操作视频10MB

 

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